快报：宽带隙半导体（关于宽带隙半导体介绍）
来源:互联网
发布时间：2023-06-22 20:06:24
【资料图】
大家好,小万来为大家解答以上的问题。宽带隙半导体，关于宽带隙半导体介绍这个很多人还不知道,现在让我们一起来看看吧！
室温下，Si的带隙为1.1eV，GaAs的带隙为1.43eV。
一般把室温下带隙大于2.0eV的半导体材料归类于宽带隙半导体，宽带隙半导体在蓝、紫光和紫外光电子器件，高频、高温、高功率电子器件及场发射器件方面应用广泛。
关于宽带隙半导体到此分享完毕，希望能帮助到您。
免责声明：本文由用户上传，如有侵权请联系删除！
x
